ASEMI半导体(图)_肖特基贴片二极管正负_肖特基二极管
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产品品牌:ASEMI品牌
供货总量:不限
价格说明:议定
包装说明:不限
物流说明:货运及物流
交货说明:按订单
有效期至:长期有效

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为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD,肖特基二极管的作用,采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD,肖特基二极管常见型号,反向特性与Ni肖特基整流器相当,在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD,肖特基二极管,击穿电压达550V。










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由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,肖特基贴片二极管正负,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。


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